|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 41 van 43 gevonden artikelen
| Titel: |
Threading dislocations reduction of GaN-on-Si by introducing AlN/3D-GaN with SiN interlayer for photodetectors |
| Auteur: |
Li, Yuan Zhang, Chaorong Lin, Jing Jia, Chuanyu Li, Guoqiang |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 172 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2024 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 41 van 43 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |