|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 4 van 56 gevonden artikelen
| Titel: |
Bilayer channel structure to improve the stability of solution-processed metal oxide transistors under AC stress |
| Auteur: |
Park, Soyoon Ho, Dongil Park, Heon-Beom Park, Sung Kyu Kim, Choongik |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 171 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2024 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 4 van 56 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |