|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 22 van 52 gevonden artikelen
| Titel: |
Electrical properties of a low-temperature fabricated Ge-based top-gate MOSFET structure with epitaxial ferromagnetic Heusler-alloy Schottky-tunnel source and drain |
| Auteur: |
Yamamoto, Keisuke Matsuo, Takuro Yamada, Michihiro Wagatsuma, Youya Sawano, Kentaro Hamaya, Kohei |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 167 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2023 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 22 van 52 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |