|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 11 van 52 gevonden artikelen
| Titel: |
Conduction mechanism of Schottky contacts fabricated on etch pits originating from single threading dislocation in a highly Si-doped HVPE GaN substrate |
| Auteur: |
Sato, Toshikazu Hamachi, Takeaki Tohei, Tetsuya Hayashi, Yusuke Imanishi, Masayuki Usami, Shigeyoshi Mori, Yusuke Sakai, Akira |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 167 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2023 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 11 van 52 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |