|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 8 van 48 gevonden artikelen
| Titel: |
Corrigendum to “Atomic study on deformation behavior and anisotropy effect of 4H–SiC during nanoindentation” [Mater. Sci. Semicond. Process. 163 (2023) 107580] |
| Auteur: |
Zhu, Bo Zhao, Dan Niu, Yihan Zhao, Hongwei |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 166 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2023 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 8 van 48 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |