Digitale Bibliotheek
Sluiten Bladeren door artikelen uit een tijdschrift
 
   volgende >>
     Tijdschrift beschrijving
       Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
         Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
           Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
                                       Details van artikel 1 van 48 gevonden artikelen
 
 
  A failure mechanism and improved method for abnormal IDS leakage current of shield gate trench MOSFET
 
 
Titel: A failure mechanism and improved method for abnormal IDS leakage current of shield gate trench MOSFET
Auteur: Luo, Jiayu
Li, Zhaofeng
Zhang, Jiandong
Verschenen in: Materials science in semiconductor processing
Paginering: Jaargang 166 () nr. C pagina's p.
Jaar: 2023
Inhoud:
Uitgever: Elsevier Ltd
Bronbestand: Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften
 
 

                             Details van artikel 1 van 48 gevonden artikelen
 
   volgende >>
 
 Koninklijke Bibliotheek - Nationale Bibliotheek van Nederland