|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 37 van 49 gevonden artikelen
| Titel: |
Raman scattering study of photoexcited plasma in GaAsBi/GaAs heterostructures: Influence of carrier confinement on photoluminescence |
| Auteur: |
Hasegawa, Sho Hasuike, Noriyuki Kanegae, Kazutaka Nishinaka, Hiroyuki Yoshimoto, Masahiro |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 162 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2023 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
The Authors |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 37 van 49 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |