|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 18 van 49 gevonden artikelen
| Titel: |
Fabrication and characterization of germanium n-MOS and n-MOSFET with thermally oxidized yttrium gate insulator: Formation of underlying germanium oxide and its electrical characteristics |
| Auteur: |
Wen, Wei-Chen Wang, Dong Nakashima, Hiroshi Yamamoto, Keisuke |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 162 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2023 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 18 van 49 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |