|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 14 van 25 gevonden artikelen
| Titel: |
Influences of lattice strain and SiGe buffer layer thickness on electrical characteristics of strained Si/SiGe/Si(110) heterostructures |
| Auteur: |
Fujisawa, Taisuke Onogawa, Atsushi Horiuchi, Miki Sano, Yuichi Sakata, Chihiro Yamanaka, Junji Hara, Kosuke O. Sawano, Kentarou Nakagawa, Kiyokazu Arimoto, Keisuke |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 161 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2023 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 14 van 25 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |