|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 7 van 114 gevonden artikelen
| Titel: |
A silicon/indium arsenide source structure to suppress the parasitic bipolar-induced breakdown effect in SOI MOSFETs |
| Auteur: |
Abbasi, Abdollah Orouji, Ali A. |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 16 (2013) nr. 6 pagina's 7 p. |
| Jaar: |
2013 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 7 van 114 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |