|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 37 van 65 gevonden artikelen
| Titel: |
Influence of pulsed laser deposited hafnium oxide thin film as gate dielectric on the fabrication of Al0.1Ga0.9N/GaN MOS-HEMT |
| Auteur: |
Yadav, Gunjan Jindal, Kajal Tomar, Monika |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 153 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2023 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 37 van 65 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |