|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 3 van 65 gevonden artikelen
| Titel: |
Analysis of carrier lifetime in a drift layer of 1.2-kV class 4H–SiC devices toward complete suppression of bipolar degradation |
| Auteur: |
Mii, Toshiki Sakane, Hitoshi Harada, Shunta Kato, Masashi |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 153 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2023 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 3 van 65 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |