|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 27 van 65 gevonden artikelen
| Titel: |
Etch and growth rates of GaN for surface orientations in the <0001> crystallographic zone: Step flow and terrace erosion/filling via the Continuous Cellular Automaton |
| Auteur: |
Guo, Xinyan Gosalvez, Miguel.A. Xing, Yan Chen, Ye |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 153 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2023 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 27 van 65 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |