|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 3 van 67 gevonden artikelen
| Titel: |
Analysis of phonon transport through heterointerfaces of InGaN/GaN via Raman imaging using double-laser system: The effect of crystal defects at heterointerface |
| Auteur: |
Nakayama, Tomoya Ito, Kotaro Ma, Bei Iida, Daisuke Najmi, Mohammed A. Ohkawa, Kazuhiro Ishitani, Yoshihiro |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 150 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2022 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 3 van 67 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |