|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 11 van 19 gevonden artikelen
| Titel: |
InN and ln1−X Ga X N: calculation of hall mobilities and effects of alloy disorder and dislocation scatterings |
| Auteur: |
Aydogu, Senem Akarsu, Mustafa Ozbas, Omer |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 15 (2012) nr. 4 pagina's 6 p. |
| Jaar: |
2012 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 11 van 19 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |