|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 7 van 20 gevonden artikelen
| Titel: |
Effects of the post nitridation anneal temperature on performances of the nano MOSFET with ultra-thin (<2.5nm) plasma nitrided gate dielectric |
| Auteur: |
Chiu, H.Y. Fang, Y.K. Juang, F.R. |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 15 (2012) nr. 1 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2012 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 7 van 20 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |