|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 13 van 75 gevonden artikelen
| Titel: |
Deposition of high-quality Ge film on Si by PECVD using GeCl4/H2 for fabricating near-infrared photodiodes |
| Auteur: |
Lai, Jyun-You Tsai, Shang-Che Lin, Ming-Wei Chen, Szu-yuan |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 148 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2022 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 13 van 75 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |