|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 15 van 39 gevonden artikelen
| Titel: |
Enhanced luminescence property of GaN-based LEDs with p-InGaN cap layer grown on p-GaN surface |
| Auteur: |
Shang, Lin Xu, Bingshe Ma, Shufang Ouyang, Huican Shan, Hengsheng Hao, Xiaodong Han, Bin |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 146 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2022 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 15 van 39 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |