|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 54 van 60 gevonden artikelen
| Titel: |
The influence of residual GaN on two-step-grown GaN on sapphire |
| Auteur: |
Peng, Liyuan Liu, Shuangtao Yang, Jing Zhao, Degang Liang, Feng Chen, Ping Liu, Zongshun |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 135 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2021 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 54 van 60 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |