|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 42 van 60 gevonden artikelen
| Titel: |
Selective area epitaxy of high quality Wurtzite-InAs heterostructure on InGaAs nanopillars at indium-rich region using MOCVD |
| Auteur: |
Anandan, Deepak Yu, Hung Wei Chang, Edward Yi Singh, Sankalp Kumar Nagarajan, Venkatesan Lee, Ching Ting Dee, Chang Fu Ueda, Daisuke |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 135 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2021 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 42 van 60 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |