|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 32 van 52 gevonden artikelen
| Titel: |
Low resistance-drift characteristics in Cr2Ge2Te6-based phase change memory devices with a high-resistance crystalline phase |
| Auteur: |
Hatayama, Shogo Song, Yun-Heub Sutou, Yuji |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 133 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2021 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 32 van 52 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |