|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 25 van 52 gevonden artikelen
| Titel: |
Improved on-state performance in AlGaN-channel heterojunction field-effect transistors with a quaternary AlGaInN barrier layer and a selectively grown n++-GaN contact layer |
| Auteur: |
Miyoshi, Makoto Inoue, Akiyoshi Yamanaka, Mizuki Harada, Hiroki Egawa, Takashi |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 133 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2021 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 25 van 52 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |