|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 8 van 36 gevonden artikelen
| Titel: |
Corrigendum to’ X-ray diffraction and secondary ion mass spectrometry investigations of GaN films grown on (0 0 1) and (1 1 0) MgF2 substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy (PA-MBE)’. Materials science in semiconductor processing 119 (2020) 105,262 |
| Auteur: |
Meyer, Kevin Buchholz, Martin Uxa, Daniel Dörrer, Lars Schmidt, Harald Schaadt, Daniel M. |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 122 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2021 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 8 van 36 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |