|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 34 van 36 gevonden artikelen
| Titel: |
The improvement of atomic layer deposited SiO2/4H-SiC interfaces via a high temperature forming gas anneal |
| Auteur: |
Renz, A.B. Vavasour, O.J. Gammon, P.M. Li, F. Dai, T. Antoniou, M. Baker, G.W.C. Bashar, E. Grant, N.E. Murphy, J.D. Mawby, P.A. Shah, V.A. |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 122 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2021 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
The Authors |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 34 van 36 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |