|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 22 van 36 gevonden artikelen
| Titel: |
Ohmic contact formation to GaN by Si+ implantation doping: Retarding layer, implantation fluence, encapsulation, and activation annealing temperature studies |
| Auteur: |
Kozubal, Maciej A. Karolina, Pągowska Andrzej, Taube Renata, Kruszka Iwona, Sankowska Eliana, Kamińska |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 122 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2021 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 22 van 36 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |