|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 2 van 8 gevonden artikelen
| Titel: |
A power rate law study of silicon germanium selective vapor phase epitaxy kinetics |
| Auteur: |
Tomasini, P. Machkaoutsan, V. Thomas, S.G. |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 12 (2009) nr. 3 pagina's 6 p. |
| Jaar: |
2009 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 2 van 8 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |