|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 23 van 27 gevonden artikelen
| Titel: |
Surface analysis, gate leakage currents and electrical characteristics of Mn ions incorporated into ZrO2 gate dielectric layer in silicon MOS capacitors |
| Auteur: |
Bhanu, J. Udaya Thangadurai, P. |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 119 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2020 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 23 van 27 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |