|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 5 van 20 gevonden artikelen
| Titel: |
Enhanced reliability through regulation of electrode resistance in indium tin oxide/HfO x /TiN resistive memories |
| Auteur: |
Li, Chuang Li, Wenxi Wang, Fang Zhang, Jingwei Sun, Jingsi Shen, Jiaqiang Hu, Kai Zhao, Jinshi Zhang, Kailiang |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 116 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2020 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 5 van 20 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |