|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 37 van 62 gevonden artikelen
| Titel: |
Ideal Ni-Based 4H–SiC Schottky barrier diodes with Si intercalation |
| Auteur: |
Gao, Meng-meng Fan, Liu-yan Chen, Zhi-zhan |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 107 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2020 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 37 van 62 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |