|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 2 van 60 gevonden artikelen
| Titel: |
A novel 4H-SiC MESFET with symmetrical lightly doped drain for high voltage and high power applications |
| Auteur: |
Jia, Hujun Li, Tao Tong, Yibo Zhu, Shunwei Liang, Yuan Wang, Xingyu Zeng, Tonghui Yintang, Yang |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 105 (2020) nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2020 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 2 van 60 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |