|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 26 van 30 gevonden artikelen
| Titel: |
Simulation study of gated nanowire InAs/Si Hetero p channel TFET and effects of interface trap |
| Auteur: |
Joseph, H. Bijo Singh, Sankalp Kumar Hariharan, R.M. Tarauni, Yusuf Thiruvadigal, D. John |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 103 (2019) nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2019 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 26 van 30 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |