|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 25 van 35 gevonden artikelen
| Titel: |
Role of the TMG flow rate on the GaN layer properties grown by MOVPE on (hkl) GaAs substrates |
| Auteur: |
Laifi, J. Saidi, C. Chaaben, N. Bchetnia, A. El Gmili, Y. Salvestrini, J.P. |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 101 (2019) nr. C pagina's 253-261 |
| Jaar: |
2019 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 25 van 35 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |