|
| << vorige |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 42 van 42 gevonden artikelen
| Titel: |
Ultra-high phosphorus-doped epitaxial Ge layers grown by HWCVD method on Si substrates |
| Auteur: |
Shengurov, Vladimir Denisov, Sergei Chalkov, Vadim Trushin, Vladimir Zaitsev, Andrei Prokhorov, Dmitry Filatov, Dmitry Zdoroveishchev, Anton Ved, Mikhail Kudrin, Alexey Dorokhin, Mikhail Buzynin, Yuri |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 100 (2019) nr. C pagina's 175-178 |
| Jaar: |
2019 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 42 van 42 gevonden artikelen
| << vorige |