|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 4 van 195 gevonden artikelen
| Titel: |
Activation level in boron-doped thin germanium-on-insulator (GeOI): Extraction method and impact of mobility |
| Auteur: |
Hutin, Louis Koffel, Stéphane Le Royer, Cyrille Clavelier, Laurent Scheiblin, Pascal Mazzocchi, Vincent Deleonibus, Simon |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 11 (2008) nr. 5-6 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2008 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 4 van 195 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |