|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 41 van 45 gevonden artikelen
| Titel: |
Three−dimensional lattice rotation in GaAs nanowire growth on hydrogen−silsesquioxane covered GaAs (001) using molecular beam epitaxy |
| Auteur: |
Tran, Dat Q. Pham, Huyen T. Higashimine, Koichi Oshima, Yoshifumi Akabori, Masashi |
| Verschenen in: |
Physica. E, Low-dimensional systems and nanostructures |
| Paginering: | Jaargang 99 (2018) nr. C pagina's 58-62 |
| Jaar: |
2018 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 41 van 45 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |