|
Influence of the thickness of the tunnel layer on the charging characteristics of Si nanocrystals embedded in an ultra-thin SiO2 layer |
|
|
|
Titel: |
Influence of the thickness of the tunnel layer on the charging characteristics of Si nanocrystals embedded in an ultra-thin SiO2 layer |
Auteur: |
Dumas, C. Grisolia, J. BenAssayag, G. Bonafos, C. Schamm, S. Claverie, A. Arbouet, A. Carrada, M. Paillard, V. Shalchian, M. |
Verschenen in: |
Physica. E, Low-dimensional systems and nanostructures |
Paginering: |
Jaargang 38 (2007) nr. 1-2 pagina's 5 p. |
Jaar: |
2007 |
Inhoud: |
|
Uitgever: |
Elsevier B.V. |
Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
|
|
|
|