|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 3 van 22 gevonden artikelen
| Titel: |
Capacitance–voltage characteristics and switching time of double barrier resonant tunneling diode fabricated with epi-Si and γ-Al2O3 |
| Auteur: |
Khatun Mst, Halima Shahjahan, Mohammad Sawada, Kazuaki Ishida, Makoto |
| Verschenen in: |
Physica. E, Low-dimensional systems and nanostructures |
| Paginering: | Jaargang 36 () nr. 1 pagina's 123-127 |
| Jaar: |
2007 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 3 van 22 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |