|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 64 van 210 gevonden artikelen
| Titel: |
Fabrication of two-dimensional n- and p-type in-plane gate transistors from the same p-doped GaAs/In0.1Ga0.9As/Al0.33Ga0.67As heterostructure |
| Auteur: |
Reuter, D Seekamp, A Wieck, A.D |
| Verschenen in: |
Physica. E, Low-dimensional systems and nanostructures |
| Paginering: | Jaargang 21 (2004) nr. 2-4 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2004 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 64 van 210 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |