|
Effect of Ge-dots buried below the interface on the transport properties of Schottky diodes |
|
|
|
Titel: |
Effect of Ge-dots buried below the interface on the transport properties of Schottky diodes |
Auteur: |
Hattab, A. Dufaye, F. Meyer, F. Yam, Vy Le Thanh, Vinh Bouchier, D. Meyer, R. Schneegans, O. Clerc, C. |
Verschenen in: |
Physica. E, Low-dimensional systems and nanostructures |
Paginering: |
Jaargang 17 (2003) nr. C pagina's 3 p. |
Jaar: |
2003 |
Inhoud: |
|
Uitgever: |
Elsevier Science B.V. |
Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
|
|
|
|