|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 53 van 63 gevonden artikelen
| Titel: |
The influence of Al composition in AlGaN barrier layer on polarization Coulomb field scattering in AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors |
| Auteur: |
Jiang, Guangyuan Lv, Yuanjie Lin, Zhaojun Yang, Yongxiong Liu, Yang |
| Verschenen in: |
Physica. E, Low-dimensional systems and nanostructures |
| Paginering: | Jaargang 127 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2021 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 53 van 63 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |