|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 38 van 75 gevonden artikelen
| Titel: |
Investigation of tied double gate 4H–SiC junctionless FET in 7 nm channel length with a symmetrical dual p+ layer |
| Auteur: |
Madadi, Dariush Orouji, Ali A. |
| Verschenen in: |
Physica. E, Low-dimensional systems and nanostructures |
| Paginering: | Jaargang 126 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2021 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 38 van 75 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |