|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 7 van 40 gevonden artikelen
| Titel: |
Effect of different gate lengths on device linearity in AlGaN/GaN high electron mobility transistors |
| Auteur: |
Cui, Peng Lv, Yuanjie Liu, Huan Cheng, Aijie Luan, Chongbiao Zhou, Yang Lin, Zhaojun |
| Verschenen in: |
Physica. E, Low-dimensional systems and nanostructures |
| Paginering: | Jaargang 119 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2020 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 7 van 40 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |