|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 24 van 53 gevonden artikelen
| Titel: |
Impact of channel doping engineering on the high-frequency noise performance of junctionless In0.3Ga0.7As/GaAs FET: A numerical simulation study |
| Auteur: |
Fallahnejad, Mohammad Vadizadeh, Mahdi Salehi, Alireza Kashaniniya, Alireza Razaghian, Farhad |
| Verschenen in: |
Physica. E, Low-dimensional systems and nanostructures |
| Paginering: | Jaargang 115 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2020 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 24 van 53 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |