|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 7 van 37 gevonden artikelen
| Titel: |
Complementary use of atom probe tomography (APT) and differential hall effect metrology (DHEM) for activation loss in phosphorus-implanted polycrystalline silicon |
| Auteur: |
Lin, Kun-Lin Lee, Fa-Yan Chen, Yi-Meng Tseng, Yu-Jen Yen, Hung-Wei |
| Verschenen in: |
Scripta materialia |
| Paginering: | Jaargang 241 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2024 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Acta Materialia Inc. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 7 van 37 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |