|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 11 van 21 gevonden artikelen
| Titel: |
Formation of silicon dioxide layers at low temperatures (150–400°C) by atmospheric pressure plasma oxidation of silicon |
| Auteur: |
Kakiuchi, H. Ohmi, H. Harada, M. Watanabe, H. Yasutake, K. |
| Verschenen in: |
Science and technology of advanced materials |
| Paginering: | Jaargang 8 (2007) nr. 3 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2007 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
NIMS and Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 11 van 21 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |