|
| volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 1 van 8 gevonden artikelen
| Titel: |
A study of dielectric breakdown mechanism through the statistical analysis of post-breakdown resistance of thin SiO2 films |
| Auteur: |
Toriumi, A Satake, H |
| Verschenen in: |
Science and technology of advanced materials |
| Paginering: | Jaargang 1 (2000) nr. 3 pagina's 6 p. |
| Jaar: |
2000 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 1 van 8 gevonden artikelen
| volgende >> |