|
Long-term stability of electron concentration in HgCdTe-based p–n junctions fabricated with ion etching |
|
|
|
Titel: |
Long-term stability of electron concentration in HgCdTe-based p–n junctions fabricated with ion etching |
Auteur: |
Izhnin, I.I. Mynbaev, K.D. Voitsekhovsky, A.V. Korotaev, A.G. Varavin, V.S. Dvoretsky, S.A. Mikhailov, N.N. Yakushev, M.V. Bonchyk, A.Yu. Savytskyy, H.V. Fitsych, O.I. |
Verschenen in: |
Infrared physics and technology |
Paginering: |
Jaargang 73 (2015) nr. C pagina's 8 p. |
Jaar: |
2015 |
Inhoud: |
|
Uitgever: |
Elsevier B.V. |
Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
|
|
|
|