|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 4 van 72 gevonden artikelen
| Titel: |
Admittance of metal–insulator–semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe grown by molecular-beam epitaxy on GaAs substrates |
| Auteur: |
Voitsekhovskii, A.V. Nesmelov, S.N. Dzyadukh, S.M. Vasil’ev, V.V. Varavin, V.S. Dvoretsky, S.A. Mikhailov, N.N. Yakushev, M.V. |
| Verschenen in: |
Infrared physics and technology |
| Paginering: | Jaargang 71 (2015) nr. C pagina's 6 p. |
| Jaar: |
2015 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 4 van 72 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |