|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 13 van 33 gevonden artikelen
| Titel: |
Effects of incident-light-intensity-dependent band gap narrowing on barrier heights of p-doped Al x Ga1 − x As/GaAs heterojunction devices |
| Auteur: |
Pitigala, P.K.D.D.P. Lao, Y.F. Perera, A.G.U. |
| Verschenen in: |
Infrared physics and technology |
| Paginering: | Jaargang 63 (2014) nr. C pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2014 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 13 van 33 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |