|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 28 van 88 gevonden artikelen
| Titel: |
Electrical properties of nBn structures based on HgCdTe grown by molecular beam epitaxy on GaAs substrates |
| Auteur: |
Voitsekhovskii, A.V. Nesmelov, S.N. Dzyadukh, S.M. Dvoretsky, S.A. Mikhailov, N.N. Sidorov, G.Yu. Yakushev, M.V. |
| Verschenen in: |
Infrared physics and technology |
| Paginering: | Jaargang 102 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2019 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 28 van 88 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |